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AOT266L  与  IPP032N06N3 G  区别

型号 AOT266L IPP032N06N3 G
唯样编号 A36-AOT266L A-IPP032N06N3 G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@10V 3.2mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 120ns
Rds On(Max)@4.5V 4mΩ -
Ciss - 10000.0pF
Qg-栅极电荷 - 124nC
Rth - 0.8K/W
Qgd(nC) 7 -
Coss - 2200.0pF
栅极电压Vgs 20V 2V,4V
正向跨导 - 最小值 - 149S,75S
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 140A 120A
工作温度 - -55°C~175°C
Ciss(pF) 5650 -
配置 - Single
Ptot max - 188.0W
长度 - 10mm
QG - 124.0nC
下降时间 - 20ns
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 27 -
Budgetary Price €€/1k - 0.55
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 268W 188W
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 35ns
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRFB7734PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 290W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.5mΩ@100A,10V N-Channel 75V 183A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP029N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP029N06NAKSA1_60V 100A 2.7mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPP032N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP032N06N3GXKSA1_188W 3.2mΩ 60V 120A TO-220 N-Channel 2V,4V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFB3206GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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